| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。器件制造步骤开始后，在硅衬底(1)的背面形成吸气层(3a)。之后，在硅衬底(1)的主面上形成MOS结构的栅极(5)，除去吸气层(3a)。通过上述制造方法形成MOS结构的栅极结构时，包含在硅衬底(1)中的溶解氧被吸气层(3a)捕捉，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降。由此，使硅衬底(1)的溶解氧浓度下降，能够得到良好的元件特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101385130A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200680053221.9 | 申请日期 | 2006.02.24 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 凑忠玄;山本秀和 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/744(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/322(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 闫小龙;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置，其特征在于，具备:具有第一面及第二面并且利用浮动带法或施加磁场拉伸法形成的硅衬底；设置在所述第一面上的第一导电区域；痕迹部位，设置在所述第二面上并且包括捕捉所述硅衬底中的溶解氧或残留金属的吸气层的至少一部分被切除的痕迹。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||