| 发明名称 | 用于发光元件的电子注入成分、发光元件及发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的是提供一种用于发光元件的电子注入成分，该电子注入成分具有优越的电子注入性，且在形成膜时不易被晶化。本发明并且提供使用该用于发光元件的电子注入成分而形成的在元件特性上比常规元件更优越，且寿命更长的发光元件。本发明还提供使用该发光元件的发光器件。本发明使用一种用于发光元件的电子注入成分从而形成电子注入层作为发光元件的包含发光物质的层的一部分，该电子注入成分包括适用公式(1)表示的吡啶衍化物；以及碱性金属、碱性土金属和过渡金属中的其中之一。通式(1)和X1、X2以及R-1R8的含义请见说明书所述。 | ||
| 申请公布号 | CN100468821C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200410049055.8 | 申请日期 | 2004.06.11 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 中村康男 |
| 分类号 | H01L51/54(2006.01)I;H05B33/20(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H05B33/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/54(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 卢新华;庞立志 |
| 主权项 | 1、一种电子注入成分，该成分含有通式(1)所示物质和一种选自碱金属、碱土金属和过渡金属的金属，其中，所述通式(I)所示物质与所述金属的摩尔比为1:0.1至1:10，通式(1)<img file="C200410049055C00021.GIF" wi="470" he="239" />其中，X<sub>1</sub>和X<sub>2</sub>具有相同或不同的结构，分别表示:<img file="C200410049055C00022.GIF" wi="653" he="387" />或<img file="C200410049055C00023.GIF" wi="619" he="318" />其中，R<sub>1</sub>-R<sub>8</sub>分别表示氢、卤原子、氰基、包含1-10个碳原子的烷基、包含1-10个碳原子的卤代烷基、包含1-10个碳原子的烷氧基、取代或非取代的芳基或者取代或非取代的杂环基。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||