| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明“半导体装置及其制造方法”可防止焊盘下的层间绝缘膜上产生裂纹，将形成在与焊盘同层上的上层布线微细化。在层间绝缘膜(17)上形成第1金属膜20。以第1抗蚀剂层(32)为掩模各向异性蚀刻第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上形成杨氏模量比第1金属膜(20)低的第2金属膜(24)，以覆盖存留的第1金属膜(20)。在层间绝缘膜(17)上方存在第1金属膜(20)的区域和不存在第1金属膜(20)的区域的一部分上，在第2金属膜(24)上形成第2抗蚀剂层(33)。以第2抗蚀剂层(33)为掩模，各向异性蚀刻第2金属膜24，形成具有第1金属膜(20)和第2金属膜(24)的焊盘，以及具有第2金属膜(24)而没有第1金属膜(20)的上层布线(22)。 | ||
| 申请公布号 | CN101383303A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810133743.0 | 申请日期 | 2008.07.22 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 百浓宽之;光山广志;长谷川胜启;西辻启子;三木一伸 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 何欣亭;刘宗杰 |
| 主权项 | 1. 一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括:在半导体衬底上形成层间绝缘膜的工序；在所述层间绝缘膜上形成第1金属膜的工序；在所述第1金属膜上形成第1抗蚀剂层，将所述第1抗蚀剂层图案化的工序；以所述第1抗蚀剂层为掩模，各向异性地蚀刻所述第1金属膜的工序；去除所述第1抗蚀剂层的工序；在所述层间绝缘膜上形成第2金属膜，使其覆盖残留的所述第1金属膜的工序；在所述层间绝缘膜上存在所述第1金属膜的区域和不存在所述第1金属膜的区域的一部分上，在所述第2金属膜上形成第2抗蚀剂层的工序；以所述第2抗蚀剂层为掩模，各向异性地蚀刻所述第2金属膜，形成具有所述第1金属膜与所述第2金属膜的焊盘，以及具有所述第2金属膜而没有所述第1金属膜的上层布线的工序；去除所述第2抗蚀剂层的工序；形成表面保护膜，使其覆盖所述焊盘的工序；以及在所述焊盘上的所述表面保护膜上形成焊盘开口的工序； | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||