| 发明名称 | 半导体激光装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光装置，包括：基台，其具有彼此平行的前表面和后表面，并具有60％或更高的可见光透射率，所述后表面对应于相对面；连接电极，其形成于所述前表面上；以及半导体激光元件，其通过所述连接电极被封装在所述基台上，并且在平行于所述前表面的方向上发射激光束。 | ||
| 申请公布号 | CN101383482A | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200810213793.X | 申请日期 | 2008.09.08 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 宫崎启介 |
| 分类号 | H01S5/022(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/022(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 葛 青 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光装置，包括:基台，具有彼此平行的前表面和后表面，并且具有60％或更高的可见光透射率，所述后表面对应于相对面；连接电极，形成于所述前表面上；以及半导体激光元件，通过所述连接电极被封装在所述基台上，并且在平行于所述前表面的方向上发射激光束。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||