发明名称 |
纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻及其制作工艺 |
摘要 |
一种纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻,它包括下列各成份:三氧化二铋、二氧化钛、氧化高钴、三氧化二镍、碳酸锰、硝酸铝、其余为氧化锌;本发明采用液相合成的单分散纳米TiO<sub>2</sub>与其它普通微米级粉体材料相复合,纳米TiO<sub>2</sub>颗粒在体系中均匀分布且完全不存在团聚体,由此方法制成的低压氧化锌压敏电阻电压梯度低于25V/mm,非线性系数、漏电流、限制电压比、能量容量和通流能力均优于传统方法生产的低压压敏电阻,批量生产成品率平均大于90%。 |
申请公布号 |
CN100468582C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200410065448.8 |
申请日期 |
2004.12.03 |
申请人 |
广西新未来信息产业股份有限公司 |
发明人 |
孙丹峰;邴绍同;陈明 |
分类号 |
H01C7/10(2006.01)I;H01C7/112(2006.01)I |
主分类号 |
H01C7/10(2006.01)I |
代理机构 |
苏州创元专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
孙仿卫 |
主权项 |
1. 一种纳米掺杂复合低压氧化锌压敏电阻,其特征在于:它包括下列按摩尔百分比配合的各成份三氧化二铋 0.5%~0.8%;二氧化钛 0.5%~1.5%;氧化高钴 1.0%~1.5%;三氧化二镍 0.1%~0.3%;碳酸锰 0. 3%~0.7%;硝酸铝 0. 002%~0.02%;其余为氧化锌;所述的二氧化钛为单分散纳米二氧化钛,其粒径小于20纳米,且在液相介质中以单颗粒形式存在。 |
地址 |
536000广西省北海市香港路新未来科技园 |