发明名称 |
X射线衍射样品架的制备方法 |
摘要 |
一种用于材料分析测试技术领域的X射线衍射样品架的制备方法,具体步骤如下:(1)材料选择:样品架选择单晶材料,利用晶体分析仪及劳厄衍射技术确定单晶的密排晶体学平面;(2)切割单晶样品架毛坯:与单晶密排晶体学面偏离角度,切割出单晶片以及样品架毛坯;(3)化学腐蚀样品座:利用氢氟酸溶液,腐蚀样品架毛坯表面,腐蚀出凹坑,同时利用隔绝材料聚乙烯,将样品座以外区域与腐蚀溶液隔绝;(4)单晶样品架与金属片粘结:利用环氧树脂,将单晶样品架与金属片进行复合,获得X射线衍射样品架。本发明所制备的X射线衍射样品架,用于X射线衍射系统,对被测样品衍射信息不产生任何干扰,提高测量结果的可靠性,克服容易脆裂的缺点,延长其使用寿命。 |
申请公布号 |
CN100468055C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN200510024279.8 |
申请日期 |
2005.03.10 |
申请人 |
上海交通大学 |
发明人 |
姜传海;洪波;曹力军 |
分类号 |
G01N23/20(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I;C23F1/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N23/20(2006.01)I |
代理机构 |
上海交达专利事务所 |
代理人 |
王锡麟;王桂忠 |
主权项 |
1、一种X射线衍射样品架的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)材料选择:样品架选择单晶材料,利用晶体分析仪及劳厄衍射技术确定单晶的密排晶体学平面;(2)切割单晶样品架毛坯:与单晶密排晶体学面偏离角度,切割出单晶片以及样品架毛坯,所述的角度是3°—10°;(3)化学腐蚀样品座:利用氢氟酸溶液,腐蚀样品架毛坯表面,腐蚀出凹坑即样品座,同时利用隔绝材料聚乙烯,将样品座以外区域与腐蚀溶液隔绝;(4)单晶样品架与金属片粘结:利用环氧树脂,将单晶样品架与金属片进行复合,获得X射线衍射样品架。 |
地址 |
200240上海市闵行区东川路800号 |