发明名称 |
氮化物垫片蚀刻工艺的方法及蚀刻终点侦测系统 |
摘要 |
本发明是提供一种栅极结构的垫片的制造方法。此方法实施利用第一蚀刻剂气体的第一蚀刻操作。此第一蚀刻操作被设置为利用干涉量测终点(IEP,Interferometry Endpoint)侦测法来检测具有一特定厚度之垫片层的一部分从基板表面上去除的状况,如此留下一垫片薄层。此方法还包含实施利用第二蚀刻剂气体并持续一预定时间的第二蚀刻操作。此第二蚀刻操作被设置为去除垫片薄层而留下栅极结构的垫片。 |
申请公布号 |
CN100468677C |
申请公布日期 |
2009.03.11 |
申请号 |
CN02826533.5 |
申请日期 |
2002.10.23 |
申请人 |
兰姆研究有限公司 |
发明人 |
周文彬;程士远;杜文江 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
张雪梅;王忠忠 |
主权项 |
1. 一种栅极结构的垫片的制造方法,包含:实施利用第一蚀刻剂气体的第一蚀刻操作,该第一蚀刻操作被设置为利用干涉量测终点侦测法来检测具有一特定厚度的垫片层的一部分的去除状况;一去除该垫片层的该部分就停止该第一蚀刻操作而留下一垫片薄层;实施利用第二蚀刻剂气体的第二蚀刻操作,该第二蚀刻操作被用来去除该垫片薄层;及在第二蚀刻操作已持续一段预定时间时停止该第二蚀刻操作;其中第二蚀刻操作被设置为去除该垫片薄层而留下栅极结构的垫片。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |