选择性沉积重掺杂外延硅锗的方法

摘要

一实施例中提供一种在基材上沉积硅或硅锗薄膜的方法，其包含将该基材置于一处理室中，并加热该基材表面使其温度介于约600℃至900℃之间，同时保持该处理室中的压力介于约13巴(0.1托耳)至27仟巴(200托耳)之间。将一沉积气体提供至该处理室中，该沉积气体包括硅烷(SiH4)、一可选用的锗来源气体、一蚀刻剂、一载气与可选用至少一种掺杂剂气体。该硅或硅锗薄膜选择性地外延成长于该基材上。一实施例中包含一种以一惰性气体作为载气来沉积一含硅薄膜的方法。该些方法亦包含使用选择性硅锗外延薄膜来制造电子元件。

主权项

1. 一种于一基材上沉积一硅锗薄膜的方法，其包含:提供一基材于一处理室中；该处理室处于介于0.1毫托耳至2300托耳之间的压力之下；加热该基材，使其温度介于500℃至900℃之间；使该基材与一第一沉积气体接触，所述第一沉积气体包含硅烷、一锗来源、一碳来源、氯化氢、一载气与至少一掺杂剂气体，以将第一硅锗材料选择性外延沉积在该基材上，所述第一硅锗材料含有浓度为2.5×1021原子/立方公分的掺杂剂；以及使该基材与一第二沉积气体接触，所述第二沉积气体含有二氯硅烷和锗来源，以将第二硅锗材料选择性外延沉积在该基材上。