发明名称 半导体仿真模型的建立方法
摘要 本发明公开了一种半导体仿真模型的建立方法,其步骤包括:首先按长度与宽度的依存性建立Global区域的器件模型,即G模型;然后Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型;之后单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型;再利用各自4个角上的器件模型,各个Bin区域合成自己的Bin模型;最后将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。本发明同时具有了全局模型与分块模型的优点,同时克服它们的缺点,因此在简化模型提取过程的基础上得到较高的模型精度,改善了模型的维护性能,从而提高了集成电路设计的效率与准确性,缩小了产品设计周期,并且降低了成本。
申请公布号 CN100468420C 申请公布日期 2009.03.11
申请号 CN200510111298.4 申请日期 2005.12.08
申请人 上海华虹NEC电子有限公司 发明人 邹小卫;钱文生
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人 丁纪铁
主权项 1. 一种半导体仿真模型的建立方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以器件尺寸的长度和宽度为坐标轴建立坐标系,在长度和宽度都较大的器件所落入的区域建立Global区域的器件模型,即G模型;(2)在长度或宽度较小的器件所落入的区域建立Bin区域,所述Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型;(3)单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型;(4)利用Bin区域各自4个角上的器件模型,各个Bin区域合成自己的Bin模型;(5)将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。
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