发明名称 | 半导体仿真模型的建立方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种半导体仿真模型的建立方法,其步骤包括:首先按长度与宽度的依存性建立Global区域的器件模型,即G模型;然后Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型;之后单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型;再利用各自4个角上的器件模型,各个Bin区域合成自己的Bin模型;最后将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。本发明同时具有了全局模型与分块模型的优点,同时克服它们的缺点,因此在简化模型提取过程的基础上得到较高的模型精度,改善了模型的维护性能,从而提高了集成电路设计的效率与准确性,缩小了产品设计周期,并且降低了成本。 | ||
申请公布号 | CN100468420C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
申请号 | CN200510111298.4 | 申请日期 | 2005.12.08 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 邹小卫;钱文生 |
分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
主权项 | 1. 一种半导体仿真模型的建立方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)以器件尺寸的长度和宽度为坐标轴建立坐标系,在长度和宽度都较大的器件所落入的区域建立Global区域的器件模型,即G模型;(2)在长度或宽度较小的器件所落入的区域建立Bin区域,所述Bin区域与Global区域边界上的器件使用G模型作为自己的单个器件模型;(3)单独提取Bin区域中不与Global区域接界的各个器件的模型;(4)利用Bin区域各自4个角上的器件模型,各个Bin区域合成自己的Bin模型;(5)将G模型及若干个Bin模型整合成一个整体的模型。 | ||
地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 |