| 发明名称 | 化学机械研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种化学机械研磨方法，用以改善一高选择性研磨浆料化学机械研磨工艺的研磨效果。其主要在利用高选择性研磨浆料进行一化学机械研磨工艺一预定时间后，提供去离子水于研磨垫上以继续进行化学机械研磨工艺，以提高研磨速度和效果。 | ||
| 申请公布号 | CN100468646C | 申请公布日期 | 2009.03.11 |
| 申请号 | CN200510006242.2 | 申请日期 | 2005.02.02 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 朱辛堃;蔡腾群;杨凯钧;李志岳 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B1/00(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯 宇 |
| 主权项 | 1. 一种化学机械研磨方法，用以改善高选择性研磨浆料的化学机械研磨工艺的研磨效果，该方法包括:提供一研磨垫以及一晶片载具，该晶片载具上装载有一晶片；提供一高选择性研磨浆料于该研磨垫上，并提供一晶片载具下压力于该晶片载具，以使该晶片接触该研磨垫而进行一化学机械研磨工艺，其中该研磨垫以及该晶片载具分别具有一研磨垫转速以及一晶片载具转速；以及提供去离子水于该研磨垫上，并利用去离子水持续进行该研磨工艺。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||