发明名称 |
用于电子装置之以杂芘为主的半导体材料 |
摘要 |
本发明揭示一种包含有机半导体薄膜材料之有机半导体材料薄层,其中该薄膜材料大体上包含杂芘化合物或衍生物。在一实施例中,薄膜电晶体包含该有机半导体材料之层。本发明进一步揭示一种较佳藉由相对低温昇华或溶液相沈积于基板上来制造有机薄膜电晶体装置之方法。 |
申请公布号 |
TW200909424 |
申请公布日期 |
2009.03.01 |
申请号 |
TW097123749 |
申请日期 |
2008.06.25 |
申请人 |
柯达公司 |
发明人 |
迪帕可 苏可拉;汤玛士R 威尔特;安L 卡洛 李;温蒂G 艾恩;道格拉斯R 罗贝洛 |
分类号 |
C07D311/78(2006.01);C07D335/04(2006.01);H01L51/30(2006.01) |
主分类号 |
C07D311/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |