发明名称 太阳能电池及其制造方法
摘要 一种太阳能电池及其制造方法,太阳能电池至少包含:半导体基板;射极层,形成于半导体基板之至少一表面上,且与半导体基板形成一pn接面;至少一射极接触区域,形成于射极层的部份区域,其中射极接触区域与射极层具有相同导电型半导体,且射极接触区域之半导体浓度相对高于射极层之半导体浓度;以及至少一第一电极,与射极接触区域连接。
申请公布号 TW200910618 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW096131912 申请日期 2007.08.28
申请人 台湾茂矽电子股份有限公司 发明人 陈锡杰;朱志勋
分类号 H01L31/042(2006.01);H01L31/18(2006.01) 主分类号 H01L31/042(2006.01)
代理机构 代理人 王丽茹;曾国轩
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新一路1号