| 摘要 |
本发明系提供一种可于LCD驱动器等抑制由于小型化所造成之插塞之高电阻化，且可改善高耐压MISFET之闸极电极与布线间之耐压不良之技术。本发明系于LCD驱动器中，高耐压MISFET系闸极电极10b之端部搁置于电场缓和用绝缘区域3上。然后，于高耐压MISFET上之第一层层间绝缘膜上，形成有作为源极布线或汲极布线之布线HL1。此时，若从半导体基板1S与闸极绝缘膜8之界面，至闸极电极10b之上部之距离设为a，从闸极电极10b之上部，至形成有布线HL1之层间绝缘膜之上部之距离设为b，则a＞b。于如此构成之高耐压MISFET中，布线HL1系配置为与高耐压MISFET之闸极电极10b不具有俯视重叠。 |
