使用高中性电浆植入的共形掺杂

摘要

一种电浆掺杂设备包括电浆源，所述电浆源产生脉冲的电浆。压板接近电浆源而支撑基板以供电浆掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将电浆中之离子吸引至基板以供电浆掺杂的负电位。辐射源照射吸附在结构上之薄膜，藉此解吸附薄膜且产生多个中性，所述多个中性在来自电浆之离子被吸引至基板时使离子散射，藉此执行共形电浆掺杂。