用于高效直流－直流功率转换器的高压侧和低压侧Ｎ沟道金属氧化物半导体场效应电晶体组合封装

摘要

本发明公开了一种电路封装元件。本发明包括一个导电衬底，一个高压侧Ｎ沟道金属氧化物半导体场效应电晶体，其源极位于面向电导电衬底表面的一侧且具有电接触；一个低压侧标准Ｎ沟道金属氧化物半导体场效应电晶体，其漏极位于面向导电衬底的一侧且具有电接触。和传统的封装相比，高压侧和低压侧Ｎ沟道金属氧化物半导体场效应电晶体的此种组合封装可以减少封装包的尺寸、寄生电感和电容。