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发明名称
半导体装置的制造方法
摘要
一种半导体装置的制造方法,它至少包含如下制程:在基板上形成闸极绝缘膜,在所述闸极绝缘膜上形成微晶半导体膜,以及在所述微晶半导体膜上形成非晶半导体膜。藉由在对所述闸极绝缘膜的表面使氢电浆起作用时引入氢化矽气体或卤化矽气体,在所述闸极绝缘膜上生成结晶核,并且藉由增加使所述氢化矽气体或所述卤化矽气体的流量,而形成所述微晶半导体膜。
申请公布号
TW200910454
申请公布日期
2009.03.01
申请号
TW097124974
申请日期
2008.07.02
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
山崎舜平
分类号
H01L21/31(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/1368(2006.01)
主分类号
H01L21/31(2006.01)
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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