发明名称 | 侦测记忆体元件中字元线漏电的装置及方法 | ||
摘要 | 一种侦测记忆体元件中字元线漏电的方法,其包括耦接记忆体元件中多条第一字元线至一电压源,并将多条第二字元线接地,其中各条第二字元线系毗邻于此些第一字元线。此方法包括等待一预定时间,使此些第一字元线得以达到预定读取电压位准,再将此些第一字元线与电压源分离,并等待一第二预定时间,使此些第一字元线得以放电。此方法更包括侦测对应此些第一字元线之记忆体元件电流,并将此电流与一预定参考电流进行比较,此预定参考电流是用来监别对应此些第一字元线之漏电状态。 | ||
申请公布号 | TW200910361 | 申请公布日期 | 2009.03.01 |
申请号 | TW096132334 | 申请日期 | 2007.08.30 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈汉松;罗思觉;洪俊雄;郭乃萍;谢明志;蔡文彬 |
分类号 | G11C29/08(2006.01);G11C8/08(2006.01) | 主分类号 | G11C29/08(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |