发明名称 侦测记忆体元件中字元线漏电的装置及方法
摘要 一种侦测记忆体元件中字元线漏电的方法,其包括耦接记忆体元件中多条第一字元线至一电压源,并将多条第二字元线接地,其中各条第二字元线系毗邻于此些第一字元线。此方法包括等待一预定时间,使此些第一字元线得以达到预定读取电压位准,再将此些第一字元线与电压源分离,并等待一第二预定时间,使此些第一字元线得以放电。此方法更包括侦测对应此些第一字元线之记忆体元件电流,并将此电流与一预定参考电流进行比较,此预定参考电流是用来监别对应此些第一字元线之漏电状态。
申请公布号 TW200910361 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW096132334 申请日期 2007.08.30
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 陈汉松;罗思觉;洪俊雄;郭乃萍;谢明志;蔡文彬
分类号 G11C29/08(2006.01);G11C8/08(2006.01) 主分类号 G11C29/08(2006.01)
代理机构 代理人 祁明辉;林素华
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号