发明名称 | 记忆体及其制造方法 | ||
摘要 | 一种记忆体,包括一介电层、一导体层、一第一埋设扩散区、一第二埋设扩散区以及一电荷储存结构。导体层系设置于介电层上,并可电性连接于至少一电压。第一埋设扩散区及第二埋设扩散区系相互隔开地设置于导体层之表面。电荷储存结构系设置于导体层上,并位于第一埋设扩散区及第二埋设扩散区之间。 | ||
申请公布号 | TW200910579 | 申请公布日期 | 2009.03.01 |
申请号 | TW096146174 | 申请日期 | 2007.12.04 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭;谢光宇 |
分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |