| 摘要 |
本发明系提供一种藉由制成能以高精度控制固体电解质中之离子之移动之元件构造，来提升可进行记忆或开关功能之半导体装置之性能，且纵或为多层化之3维构造，亦能以低成本来予以高积体化之技术。作为半导体元件，系于纵向(Z轴方向)上分离配置之电极间，形成2层以上成分不同之层，且于上述电极间施加脉冲电压以形成导电通路，而使电阻值对应于资讯信号来变化之元件。进一步于上述导电通路之中段，形成积存有提高导电率之成分之区域，藉此而使电阻率正确地对应于资讯信号。于X轴方向、Y轴方向中之至少一方向形成电极，并施加控制电压更为适宜。 |
