发明名称 具规划/验证功能之相变记忆体
摘要 一种相变记忆体包含:多数格,用以以个别电阻位准的形式,储存资料;定位电路,用以定址予以规划之格;及该等电阻位准系由被定址格之格电流与一参考电流之比较加以决定。参考值产生器提供该参考电流给该感应放大器。该参考值产生器系被提供有参考选择电路,以根据予以储存于该格中之规划资料,由多数验证电流,选择一参考电流。
申请公布号 TW200910357 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW097110107 申请日期 2008.03.21
申请人 英特尔股份有限公司 发明人 佛迪南度 贝德斯奇;理查 费肯索;张瑞利
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 美国