发明名称 类钻碳电子装置及其制造方法
摘要 本发明揭示及描述可增进电子装置性能的材料、装置及方法如太阳能电池、热电转换装置及其他电子装置。在其中一态样中,一类钻碳电子装置可包括一导电类钻碳阳极、一邻接于该类钻碳阳极之非晶形电荷载子分隔层以及一邻接于该电荷载子分隔层且相对于该类钻碳阳极之阴极。此外,在另一态样中,该导电类钻碳材料具有由约30原子百分比至约90原子百分比之sp3键结碳含量、由约0原子百分比至约30原子百分比之氢含量以及由约10原子百分比至约70原子百分比之sp2键结碳含量。在又一态样中,该sp2键结碳含量系为足以提供该导电类钻碳材料大于约0.7之可见光透射率。
申请公布号 TW200910430 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW097127280 申请日期 2008.07.18
申请人 宋健民 发明人 宋健民
分类号 H01L21/28(2006.01);H01L31/0224(2006.01);H01L31/04(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项
地址 台北县淡水镇中正路32巷4号
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