用于积体电路上金属结构之薄膜氮化铝封装材料及其制造方法

摘要

一种氮化铝(AlN)薄膜系应用于诸如一环境感测器的薄膜金属电路之上，其位于电极垫之侧边上，及/或在一基板之表面区的一些部分或所有部分之上。该薄膜作用于保护该等经封装的结构不曝露于氧化及使其不处于还原及真空环境，使该等经封装的结构与其他结构电隔离，并有助于使该等结构安全地黏附于基板表面。该AlN薄膜亦能够使多个IC层彼此叠加，AlN薄膜隔层介于IC层之间以使得各IC层分开并与相邻层电隔离。