半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，可增强通道移动性并且最小化闪烁杂讯。实施例之半导体装置之制造方法形成第一磊晶层于基板上方；形成第二磊晶层于第一磊晶层上方；形成闸电极于第二磊晶层上方；形成间隔物于闸电极之两侧上方；蚀刻间隔物之两侧之邻接区域至基板之深度；形成轻掺杂汲极区域于间隔物下方之区域；以及形成源极╱汲极区域之第三磊晶层于间隔物两侧之邻接之蚀刻区域上方。