| 摘要 |
本发明提供一种第III族氮化物系半导体发光元件。于该第III族氮化物系半导体发光元件11中，p型Al#sB!Y#eB!Ga#sB!1-Y#eB!N层19之p型掺杂剂浓度N#sB!P19#eB!大于p型Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层15之p型掺杂剂浓度N#sB!P15#eB!，因此，p型掺杂剂自p型Al#sB!Y#eB!Ga#sB!1-Y#eB!N层19向p型Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层15扩散，且到达p型Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层15与活性层17之界面附近为止。于p型Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层15与活性层17之界面附近之p型Al#sB!x#eB!Ga#sB!1-x#eB!N层15上，p型掺杂剂浓度之分布曲线PF1#sB!Mg#eB!变得陡峭。又，p型Al#sB!z#eB!Ga#sB!1-z#eB!N层21之p型掺杂剂浓度与p型Al#sB!Y#eB!Ga#sB!1-Y#eB!N层19之p型掺杂剂浓度N#sB!P19#eB!互相独立被规定。 |
