发明名称 形成半导体结构的方法
摘要 一种形成半导体结构的方法,其包含提供一基板,并形成一遮罩层于基板上。形成介电隔离于基板及遮罩层中,其中介电隔离突出于基板。移除遮罩层,以暴露基板之一部份。形成一介电层于基板之暴露部份上。形成一第一导体层于介电层上。移除介电隔离之一部份,其中剩余之介电隔离之上表面低于第一导体层之上表面。形成一共形介电层于基板上方。形成一第二导体层于共形介电层上。
申请公布号 TW200910606 申请公布日期 2009.03.01
申请号 TW096131508 申请日期 2007.08.24
申请人 南亚科技股份有限公司 发明人 蔡鸿明;萧清南;黄仲麟
分类号 H01L29/788(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/788(2006.01)
代理机构 代理人 蔡玉玲
主权项
地址 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号