发明名称 | 形成半导体结构的方法 | ||
摘要 | 一种形成半导体结构的方法,其包含提供一基板,并形成一遮罩层于基板上。形成介电隔离于基板及遮罩层中,其中介电隔离突出于基板。移除遮罩层,以暴露基板之一部份。形成一介电层于基板之暴露部份上。形成一第一导体层于介电层上。移除介电隔离之一部份,其中剩余之介电隔离之上表面低于第一导体层之上表面。形成一共形介电层于基板上方。形成一第二导体层于共形介电层上。 | ||
申请公布号 | TW200910606 | 申请公布日期 | 2009.03.01 |
申请号 | TW096131508 | 申请日期 | 2007.08.24 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 蔡鸿明;萧清南;黄仲麟 |
分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 蔡玉玲 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |