| 摘要 |
一种半导体装置的制造方法，包含步骤有：在一半导体基材上形成一沟渠，以便定义出第一与第二元件区；将一第一氧化物薄膜埋入该沟渠中；形成一第二氧化物薄膜在该第一与第二元件区的表面上；使用一第一遮罩，其是使一包含该第一元件区与该第一氧化物的一部分之第一区域露出，执行一第一离子掺杂；使用一第二遮罩，其是使一包含该第二元件区与该第一氧化物薄膜的一部分之第二区域露出，执行一第二离子掺杂；及藉由蚀刻，除去该第一元件区与该第二元件区中所形成的第二氧化物薄膜，并且在执行该第一或第二离子掺杂后，利用该第一或第二遮罩，该第一氧化物薄膜是选择性地变薄。 |
