供半导体光电元件磊晶用之半导体基板及其制造方法

摘要

本发明揭露一种供一半导体光电元件磊晶用之半导体基板及其制造方法。根据本发明之半导体基板包含一基板及一氮化物缓冲层。该氮化物缓冲层系藉由一原子层沈积制程及/或一电浆增强原子层沈积制程(或一电浆辅助原子层沈积制程)形成于该基板之一上表面上。该氮化物缓冲层促进该半导体光电元件中之一半导体材料层(semiconductor material layer)之磊晶品质。