| 摘要 |
本发明提供一种电子元件的晶圆级封装及其制造方法。上述电子元件的晶圆级封装的制造方法包括提供一半导体晶圆，其上包括复数个电子元件晶片。黏结该半导体晶圆与一承载基板，并薄化该半导体晶圆的背面。蚀刻该半导体晶圆的背面形成一第一沟槽。顺应性地沉积一绝缘层于该半导体晶圆的背面。蚀刻该第一沟槽底部的绝缘层以形成一第二沟槽。依序移除层该沟槽底部的该绝缘层与一层间介电层(ILD)，并露出一对接触垫的部分表面。顺应性地沉积一导电层于该半导体晶圆的背面。并将其图案化后，与该接触垫形成一S-型连线，以及形成外部导线及焊接凸块。 |
