| 摘要 |
本发明系关于一种绝缘闸极双极性电晶体，系包含：第一导电类型集极离子植入区，系位于基板中；第二导电类型缓冲层，系位于第一导电类型集极离子植入区上，其中此第二导电类型缓冲层系包含有：第一区段缓冲层及第二区段缓冲层；第一导电类型基极区，系位于此第二导电类型缓冲层上；闸极，系位于此第一导电类型基极区一侧的基板上；第二导电类型射极离子植入区，系位于第一导电类型基极区中；绝缘层，系位于闸极上；发射极，系电性连接于第二导电类型射极离子植入区；以及集电极，系电性连接于第一导电类型集极离子植入区。其中，此第一区段缓冲层可与基极区之下方部分对齐，且此第一区段缓冲层中第二导电类型离子之密度系小于与此第一区段缓冲层相邻的第二区段缓冲层中第二导电类型离子之密度。 |
