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经营范围
发明名称
METHOD OF FORMING SILICIDE FILMS IN SEMICONDUCTOR DEVICES
摘要
申请公布号
KR100886260(B1)
申请公布日期
2009.02.27
申请号
KR20040043346
申请日期
2004.06.12
申请人
发明人
分类号
H01L21/28;H04N5/217;H01L21/24;H01L21/285;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H04N5/217
主分类号
H01L21/28
代理机构
代理人
主权项
地址
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