发明名称 ИСТОЧНИК ГАЗОРАЗРЯДНОЙ ПЛАЗМЫ
摘要 <p>Полезная модель относится к технике получения низкотемпературной плазмы в больших вакуумных объемах и может быть использовано для очистки, активации, модификации поверхностности металлов и сплавов (азотирование, цементация и др.), а также ионно-плазменного ассистирования при нанесении упрочняющих и защитных покрытий. Технический результат - улучшение равномерности эрозии полого катода источника газоразрядной плазмы и увеличение его срока службы. Для этого в источнике плазмы, состоящем из вакуумной камеры-анода и полого цилиндрического холодного катода, установлено две или более магнитные катушки за счет переключения тока между которыми создается перемещающееся магнитное поле в результирующем максимуме которого удерживается катодное пятно.</p>
申请公布号 RU81027(U1) 申请公布日期 2009.02.27
申请号 RU20080141108U 申请日期 2008.10.16
申请人 发明人
分类号 H05H1/24;H01J27/02;H05H1/00 主分类号 H05H1/24
代理机构 代理人
主权项
地址