发明名称 Feldeffekttransistor
摘要 <p>Wenigstens zwei ohmsche Drainkontakte sind angeordnet, um einen aktiven Bereich zu kreuzen. Ein ohmscher Sourcekontakt ist zwischen den ohmschen Drainkontakten angeordnet. Ein Drainkopplungsabschnitt auf einem Elementtrennungsbereich koppelt Enden der ohmschen Drainkontakte auf derselben Seite von ihnen. Eine Gateenergiezufuhrverdrahtung auf dem Elementtrennungsbereich koppelt Gatefinger an deren Ende auf der gegenüberliegenden Seite der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes. Ein Gaterandkopplungsabschnitt koppelt zwei Gatefinger, die miteinander benachbart sind, wobei zwischen ihnen der ohmsche Sourcekontakt sandwichartig angeordnet ist, an deren Ende auf der Anordnungsseite des Drainkopplungsabschnittes. Der Gaterandkopplungsabschnitt kreuzt den ohmschen Drainkontakt und den Drainkopplungsabschnitt nicht.</p>
申请公布号 DE102008033234(A1) 申请公布日期 2009.02.26
申请号 DE20081033234 申请日期 2008.07.15
申请人 FUJITSU LIMITED, KAWASAKI 发明人 MASUDA, SATOSHI
分类号 H01L29/812;H01L21/338 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
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