Speicher mit variablem Widerstand und Betriebsverfahren desselben

摘要

Ein Speicher (300) mit variablem Widerstand und ein Verfahren zum Betreiben desselben sind geschaffen. Der Speicher (300) mit variablem Widerstand hat ein Phasenänderungsmaterial (GST) zwischen einer oberen Elektrode (TEC) und einer unteren Elektrode (BEC). Bei dem Verfahren zum Betreiben eines Speichers (300) mit variablem Widerstand wird der Schreibstrom (Fwd_W) in einer Richtung von der oberen Elektrode (TEC) zu der unteren Elektrode (BEC) angelegt, und der Lesestrom (Rvs_R) wird in einer Richtung von der unteren Elektrode (BEC) zu der oberen Elektrode (TEC) angelegt. Das Phasenänderungsmaterial (GST) wird durch Anlegen des Schreibstroms (Fwd_W) programmiert, und eine Widerstandsdrift des Phasenänderungsmaterials (GST) wird durch Anlegen des Lesestroms (Rvs_R) eingeschränkt.