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Ein Verfahren zum Ausbilden einer Metallelektrode eines System-in-Package eines System-in-Package, das ein Mehrschicht-Halbleiterbauelement enthält, bei dem Halbleiterbauelemente in einer Vielzahl von Schichten gestapelt sind. Das Verfahren kann das Ausbilden eines Durchkontaktierungs-Lochs umfassen, das sich durch die Vielzahl von Schichten erstreckt, das Ausbilden einer Schicht aus brennbarem Material, das eine hohe Viskosität hat, auf einem unteren Teil des Durchkontaktierungs-Lochs, um dessen unteren Teil abzudichten, und das Ausbilden einer Durchkontaktierungs-Elektrode durch Füllen des Durchkontaktierungs-Lochs mit Kupfer. Es liegt der Effekt vor, dass eine Durchkontaktierungs-Elektrode effizient ausgebildet wird, die eine große Tiefe hat, die der Höhe der im System-in-Package gestapelten Halbleiterbauelemente entspricht. Das Füllen eines Durchkontaktierungs-Lochs, das ein großes Verhältnis von Tiefe zu Breite hat, kann durch OSP-Beschichtungs-, galvanische Kupfer-Beschichtungs- und elektrische Kupfer-Beschichtungs-Prozesse effizient durchgeführt werden. |
