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发明名称 HOCHDICHTE-GRABEN-DMOS-TRANSISTOR MIT GRABENBODEMIMPLANTIERUNG
摘要
申请公布号 DE69739206(D1) 申请公布日期 2009.02.26
申请号 DE19976039206 申请日期 1997.07.18
申请人 SILICONIX INC. 发明人 HSHIEH, FWU-IUAN;FLOYD, BRIAN H.;CHANG, MIKE;NIM, DANNY;NG, DANIEL
分类号 H01L29/76;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/10;H01L29/78 主分类号 H01L29/76
代理机构 代理人
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