| 发明名称 | 保护测试焊垫的凸块制程及晶圆结构 | ||
| 摘要 | 本发明关于一种保护测试焊垫的凸块制程及晶圆结构，该凸块制程包括先于晶圆上的测试焊垫上形成一凸块下金属层(UBM)或一光阻层，之后再于该晶圆上的凸块焊垫上形成若干个凸块。藉此，可在该凸块制程的蚀刻步骤中保护该测试焊垫，防止该测试焊垫被蚀刻掉。 | ||
| 申请公布号 | CN100464399C | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200610073723.X | 申请日期 | 2006.04.05 |
| 申请人 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 翁肇甫;李德章 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L23/482(2006.01) | 主分类号 | H01L21/60(2006.01) |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 1.一种保护测试焊垫的凸块制程，包括步骤(a)提供一晶圆，该晶圆具有一主动面，该主动面上具有一保护层、若干个凸块焊垫及若干个测试焊垫，该保护层暴露出该些凸块焊垫及该些测试焊垫；其特征在于：该制程还包括如下步骤：(b)在该晶圆的主动面上形成一凸块下金属层(Under Bump Metallurgy，UBM)，覆盖该保护层及该些凸块焊垫及该些测试焊垫；(c)于该凸块下金属层上形成若干个第一光阻层，该些第一光阻层的位置对应于该些测试焊垫；(d)在该第一光阻层及该凸块下金属层上形成一第二光阻层；(e)在该第二光阻层上形成若干个开口，该些开口的位置对应于该些凸块焊垫；(f)填入若干个焊块至该些开口中；(g)移除该第二光阻层；(h)将未被该第一光阻层及该些焊块所覆盖的该凸块下金属层移除，暴露出该保护层；(i)移除该些第一光阻层；以及(j)进行一回焊制程，使该些焊块形成球状。 | ||
| 地址 | 中国台湾高雄市楠梓加工区经三路26号 | ||