| 发明名称 | 使用CMP的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在形成STI的CMP中，使用包含二氧化铈磨粒及界面活性剂的添加剂的第一研磨剂，抛光在半导体衬底上形成的膜的表面，直至将膜的表面平坦化；使用具有物理抛光功能的第二研磨剂，抛光膜的表面；及使用包含二氧化铈磨粒、界面活性剂的添加剂和稀释剂的第三研磨剂，抛光膜的表面。该制造方法还包括如下步骤：在半导体衬底上形成布线；通过HDP-CVD沉积掩埋布线的第一绝缘膜；通过不同于HDP-CVD的沉积方法在第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜；及使用包含二氧化铈磨粒的研磨剂通过CMP将第二绝缘膜平坦化。因而可解决大尺寸衬底在抛光后出现的膜残留问题，并抑制层间绝缘膜的晶片级厚度分布。 | ||
| 申请公布号 | CN100464394C | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200510125066.4 | 申请日期 | 2005.11.17 |
| 申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 井谷直毅 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01);H01L21/3105(2006.01);B24B37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/304(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军;郑特强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：(a)在将第一研磨剂提供至设有抛光垫的抛光台的同时，利用所述抛光垫，并由抛光头支撑半导体衬底，抛光在所述半导体衬底上形成的膜的表面，直至将所述膜的表面平坦化，其中所述第一研磨剂包含二氧化铈磨粒及界面活性剂的添加剂；(b)在所述步骤(a)之后，使用包含硅石或氧化锆且具有物理抛光功能的第二研磨剂，抛光所述膜的表面；以及(c)在所述步骤(b)之后，使用包含二氧化铈磨粒、界面活性剂的添加剂和稀释剂的第三研磨剂，抛光所述膜的表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||