| 发明名称 |
Etch process and etch stop layer for manufacturing of semiconductor wafers |
| 摘要 |
<p>Eine durch sequenzielle Gasphasenabscheidung mit einer Schichtdicke von weniger als 20 nm vorgesehene Ätzsignalschicht (2) aus einem Metalloxid oder einem Oxid seltener Erden wird zwischen einem unterliegenden Substrat (1) und einer Prozesschicht (3) vorgesehen. Die Ätzsignalschicht (2) liefert ein von abzutragenden Stapelschichtsystemen mit einer Mehrzahl von siliziumhaltigen Materialien unabhängiges Ätzsignal und ist schnell und mit geringen Prozesstoleranzen zu entfernen. Eine Substratoberfläche (10) des Substrats (1) wird topographieunabhängig geschützt. Auf der Ätzsignalschicht (2) beruhende Ätzverfahren sind präzise auszuführen und variabel einzusetzen.
</p> |
| 申请公布号 |
EP1394848(A3) |
申请公布日期 |
2009.02.25 |
| 申请号 |
EP20030019398 |
申请日期 |
2003.08.27 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
HECHT, THOMAS;SCHROEDER, UWE;SEIDL, HARALD;GUTSCHE, MARTIN;JAKSCHIK, STEFAN;KUDELKA, STEFAN;BIRNER, ALBERT |
| 分类号 |
H01L21/311;H01L21/02;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/66;H01L21/768;H01L21/8246;H01L27/115;H01L29/08;H01L29/49 |
主分类号 |
H01L21/311 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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