| 发明名称 | MOS器件和制造MOS器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供三维堆叠的鳍状金属氧化物半导体(SF－MOS)器件(10，30)，所述器件包括具有多个堆叠的半导体区域(3，5，13)的突起或鳍状结构，其中第二半导体区域(5，12)通过绝缘区域(4，11)与第一半导体区域(3，5)分离。栅极绝缘层(8)至少在突起(7)的侧壁上延伸，并且栅极电极在栅极绝缘层(8)上延伸。栅极电极包括多个栅极区域(13，14，15)，其中每个栅极区域(13，14，15)在另一半导体区域(3，5，12)上延伸。如此，每个栅极区域(13，14，15)影响另一半导体区域(3，5，12)的导电沟道，因此增加了优化SF－MOS器件性能的自由度。本发明进一步提供了一种制造根据本发明的SF－MOS器件(10，30)的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101375399A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200780003859.6 | 申请日期 | 2007.01.22 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 塞巴斯蒂恩·尼坦克 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/225(2006.01) | 主分类号 | H01L29/423(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体衬底(1)上的MOS器件(10，30)，所述MOS器件(10，30)包括具有侧壁的突起(7)并且包括多个堆叠的半导体区域(3，5，12)，其中第二半导体区域(5，12)通过绝缘区域(4，11)与第一半导体区域(3，5)分离，所述MOS器件(10，30)还包括至少在所述突起(7)的侧壁上延伸的栅极绝缘层(8)以及在所述栅极绝缘层(8)上延伸的栅极电极，所述栅极电极包括多个栅极区域(13，14，15)，其中每个栅极区域(13，14，15)在另一个半导体区域(3，5，12)上延伸。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||