| 发明名称 | 金属线之间的自对准沟槽的集成 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种形成气腔以克服IC通路未对准问题的改进方法。在集成电路的金属线(22)之间形成气腔沟槽的该方法，包括以下步骤：局部去除(42)沉积在半导体互连结构表面的路径间电介质层，以控制半导体互连表面的金属线的上表面和路径间电介质的表面之间的高度；在互连表面上沉积(44)电介质衬垫；去除(46)互连表面上的至少部分电介质衬垫；连续重复(48)电介质衬垫的沉积和互连表面上的电介质衬垫的去除，以使互连表面足以被用于形成多个气腔沟槽的剩余的电介质衬垫所保护；以及通过对路径间电介质材料进行蚀刻，在金属线之间形成(50)至少一个气腔沟槽。 | ||
| 申请公布号 | CN101375388A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200780002651.2 | 申请日期 | 2007.01.11 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | 华金·托雷斯;洛朗－乔治·戈塞 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 1.一种在集成电路的金属线(22)之间形成多个气腔沟槽的方法，包括:局部去除(42)沉积在半导体互连结构表面上的路径间电介质层，以控制所述半导体互连结构表面的金属线的上表面和所述路径间电介质层的表面之间的高度；利用共形沉积工艺，在所述半导体互连结构表面上沉积(44)电介质衬垫；利用定向蚀刻工艺去除(46)所述半导体互连结构表面上的至少部分所述电介质衬垫；如果需要的话，连续重复(48)所述电介质衬垫的沉积步骤和所述半导体互连结构表面上的至少部分所述电介质衬垫的去除步骤，并根据需要重复多次，以使所述互连结构表面上剩余的电介质衬垫达到期望的宽度；以及通过利用所述互连结构表面上的剩余的电介质衬垫作为蚀刻掩膜选择性地对所述路径间电介质材料进行蚀刻，从而在所述金属线之间形成(50)至少一个气腔沟槽。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||