发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
提供一种半导体器件,该半导体器件包括设置在外部连接端与内部电路区域之间的静电放电(ESD)保护元件。在该半导体器件中,从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连包括多个金属互连层,以使得从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连的电阻小于从ESD保护元件延伸到内部元件的互连的电阻。从ESD保护元件延伸到内部元件的互连包括数量上等于或小于从外部连接端延伸到ESD保护元件的互连中所用的那些互连层的金属互连层。 |
申请公布号 |
CN101373768A |
申请公布日期 |
2009.02.25 |
申请号 |
CN200810213683.3 |
申请日期 |
2008.08.22 |
申请人 |
精工电子有限公司 |
发明人 |
鹰巢博昭 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01);H01L23/522(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
柯广华;王丹昕 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:设置在内部电路区域中的内部元件;设置在外部连接端与所述内部电路区域之间以便保护所述内部元件不会因静电放电而被击穿的静电放电保护元件;从所述外部连接端延伸到所述静电放电保护元件的第一互连;以及从所述静电放电保护元件延伸到所述内部元件的第二互连,其中第一互连的电阻小于第二互连的电阻。 |
地址 |
日本千叶县千叶市 |