| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：硅衬底；和场效应晶体管，所述场效应晶体管包括在所述硅衬底上的栅极绝缘膜，在所述栅极绝缘膜上的栅电极，以及源漏区。所述栅电极在与所述栅极绝缘膜接触的部分中包括，结晶Ni硅化物区，其包含杂质元素，所述杂质元素的导电类型与所述场效应晶体管中的沟道区的导电类型相反。 | ||
| 申请公布号 | CN101375403A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200680052814.3 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 间部谦三 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 陆锦华;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：硅衬底；和场效应晶体管，场效应晶体管包括在所述硅衬底上的栅极绝缘膜、在所述栅极绝缘膜上的栅电极、以及源漏区，其中所述栅电极至少在与所述栅极绝缘膜接触的部分中包括，包含杂质元素的结晶Ni硅化物区，所述杂质元素的导电类型与所述场效应晶体管中的沟道区的导电类型相反。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||