| 发明名称 | 一种低介电常数聚酰亚胺/低聚倍半硅氧烷纳米杂化膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺/低聚倍半硅氧烷纳米杂化膜，由二酸酐单体、二胺单体和低聚倍半硅氧烷组成，其中低聚倍半硅氧烷的质量含量为0.1％～30％，二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1∶1～1.1。本发明提供的聚酰亚胺/低聚倍半硅氧烷纳米杂化膜，具有低的介电常数，同时保持了聚酰亚胺基体树脂原有的优异性能。本发明的制备方法，能够明显改善低聚倍半硅氧烷与反应物及聚合物基体之间的相容性，使其易于以纳米尺度均匀分散在聚酰亚胺树脂中，得到综合性能优异的有机－无机杂化材料；在电工、电子、信息、军事、航空和航天等方面具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN101372534A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710130841.4 | 申请日期 | 2007.08.24 |
| 申请人 | 东丽纤维研究所（中国）有限公司 | 发明人 | 陈桥;杨扬;吴刚 |
| 分类号 | C08J5/18(2006.01);C08J7/12(2006.01);C08L79/08(2006.01);C08L83/04(2006.01) | 主分类号 | C08J5/18(2006.01) |
| 代理机构 | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人 | 夏平 |
| 主权项 | 1.一种低介电常数聚酰亚胺/低聚倍半硅氧烷纳米杂化膜，由二酸酐单体、二胺单体和低聚倍半硅氧烷组成，其中低聚倍半硅氧烷的质量含量为0.1％～30％，二胺单体与二酸酐单体的摩尔比为1：1～1.1。 | ||
| 地址 | 226009江苏省南通市经济技术开发区新开南路58号 | ||