| 发明名称 | 自对准硅化物膜制程及结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。本发明还揭示了一种自对准硅化物SAB膜结构。发明采用ONO结构的SAB膜，具有良好的光刻特性，此外，由于SiO<SUB>2</SUB>层和SiON层之间具有显著的光反射特性的差异，本发明利用这种特点，采用端点控制的方式对干法刻蚀过程进行精确的控制，能确保器件的安全，并且能获得理想的刻蚀速度。 | ||
| 申请公布号 | CN101373716A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200710045077.0 | 申请日期 | 2007.08.21 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙昌;王艳生;廖奇泊;王蕾;郭君 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种自对准硅化物SAB制程，用于制作需要使用非自对准硅化物器件的制程中，该SAB制程包括：沉积SAB膜，该SAB膜为ONO结构；对SAB膜进行光刻；进行非自对准硅化物器件的制作；对SAB膜进行干法刻蚀，其中该干法刻蚀过程为端点控制过程；对SAB膜进行湿法刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||