| 发明名称 | 半导体结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一硅锗区，位于该半导体衬底中且与该栅极堆叠层相邻，其中该硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。因此，本发明可降低硅化物(或锗的硅化物)的片电阻和表面轮廓，以改善金属氧化物半导体装置的硅化工艺的形成方式。 | ||
| 申请公布号 | CN101373788A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200810093526.3 | 申请日期 | 2008.04.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林俊杰;许伟华;张宇恩;张传理;郑吉峰;洪维远;岸本耕 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/38(2006.01);H01L27/092(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨;吴世华 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：一半导体衬底；一栅极堆叠层，位于该半导体衬底上；一第一硅锗区，位于该半导体衬底中且相邻该栅极堆叠层，其中该第一硅锗区具有一第一原子百分比，该第一原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比；一硅化区，位于该第一硅锗区之上，其中该硅化区具有一第二原子百分比，该第二原子百分比是指硅和锗中的锗所占的原子百分比，且其中该第二原子百分比实质上低于该第一原子百分比。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||