发明名称 用于电光调制器的波导电容器
摘要 本发明公开了一种用于电光调制器的波导电容器,要解决的技术问题是提高基于互补金属氧化物半导体CMOS的电光调制器的效率。本发明采用以下技术方案:一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中。本发明与现有技术相比,脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,提高了单位波导导模模斑横截面所携带的电容值,这是决定基于自由载流子色散效应的电光调制器的调制效率的关键参数,同时,波导导模的有效模斑尺寸比现有的波导电容小,对光的限制因子大,有利于提高调制器的效率。
申请公布号 CN101373281A 申请公布日期 2009.02.25
申请号 CN200810130997.7 申请日期 2008.08.20
申请人 李冰 发明人 李冰
分类号 G02F1/025(2006.01) 主分类号 G02F1/025(2006.01)
代理机构 深圳市中知专利商标代理有限公司 代理人 林虹;孙皓
主权项 1.一种用于电光调制器的波导电容器,包括脊波导,其特征在于:所述脊波导的波导脊上刻蚀有槽型结构,并在其上加载半导体材料,所加载的半导体材料和脊波导之间有绝缘层隔离,所加载半导体材料填充至所刻蚀的槽中。
地址 311700浙江省杭州市淳安县千岛湖镇清波花园5栋