| 发明名称 | 顺序存取存储器 | ||
| 摘要 | 半导体存储设备(10)包括具有EEPROM阵列(101)和掩膜ROM阵列(102)的存储阵列。在EEPROM阵列(101)的起始3个地址存储用于识别各个半导体存储设备的识别信息。在EEPROM阵列(101)的第9个地址～第16个地址中存储与墨水量有关的8比特数据。在EEPROM阵列(101)的第17个地址～第24个地址具有存储了在一定条件下可改写的8比特的使用历史信息的使用历史信息存储区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101375291A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200780003200.0 | 申请日期 | 2007.01.16 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 朝内升 |
| 分类号 | G06F21/24(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | G06F21/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 柳春雷 |
| 主权项 | 1.一种顺序存取方式的存储设备，包括：被顺序存取的非易失性的存储阵列，该存储阵列具有用于存储与使用历史信息有关的数据的以预定比特为单位的使用历史信息存储区域；输入输出部，用于输入输出数据；判断部，判断经由所述输入输出部输入的、针对所述使用历史信息存储区域的以所述预定比特为单位的写入数据的值是否为比存储在所述使用历史信息存储区域中的以所述预定比特为单位的所述使用历史信息的数据的值大的值；写入装置，用于对所述存储阵列以所述预定比特为单位执行写入；和控制装置，在所述写入数据的值是比存储在所述使用历史信息存储区域中的所述使用历史信息的数据值大的值的情况下，使所述写入装置执行所述写入数据向所述存储阵列的所述使用历史信息存储区域中的写入。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||