发明名称 磁阻元件、磁阻磁头以及磁盘装置
摘要 本发明涉及一种磁阻元件、磁阻磁头以及磁盘装置。根据一个实施例,磁阻元件包括磁化固定层(25)、设置在磁化固定层上的中间层(26)、设置在中间层上的自由层(27)、由非磁性金属构成且设置在自由层上的分离层(28)、以及波动补偿层(29)构成,其中该波动补偿层(29)的与自由层的静态磁耦合被分离层断开、其磁化方向被固定为与磁化固定层的磁化方向反平行,并且其设置在分离层上。
申请公布号 CN101373599A 申请公布日期 2009.02.25
申请号 CN200810131940.9 申请日期 2008.06.27
申请人 株式会社东芝 发明人 鸿井克彦
分类号 G11B5/39(2006.01);H01L43/08(2006.01) 主分类号 G11B5/39(2006.01)
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 杨晓光;于静
主权项 1.一种磁阻元件,其特征在于包括:磁化固定层;中间层,设置在所述磁化固定层上;自由层,设置在所述中间层上;分离层,由非磁性金属构成,并且设置在所述自由层上;以及波动补偿层,其与所述自由层的静态磁耦合被所述分离层断开,其磁化方向被固定为与所述磁化固定层的磁化方向反平行,并且其设置在所述分离层上。
地址 日本东京都