发明名称 |
磁阻元件、磁阻磁头以及磁盘装置 |
摘要 |
本发明涉及一种磁阻元件、磁阻磁头以及磁盘装置。根据一个实施例,磁阻元件包括磁化固定层(25)、设置在磁化固定层上的中间层(26)、设置在中间层上的自由层(27)、由非磁性金属构成且设置在自由层上的分离层(28)、以及波动补偿层(29)构成,其中该波动补偿层(29)的与自由层的静态磁耦合被分离层断开、其磁化方向被固定为与磁化固定层的磁化方向反平行,并且其设置在分离层上。 |
申请公布号 |
CN101373599A |
申请公布日期 |
2009.02.25 |
申请号 |
CN200810131940.9 |
申请日期 |
2008.06.27 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
鸿井克彦 |
分类号 |
G11B5/39(2006.01);H01L43/08(2006.01) |
主分类号 |
G11B5/39(2006.01) |
代理机构 |
北京市中咨律师事务所 |
代理人 |
杨晓光;于静 |
主权项 |
1.一种磁阻元件,其特征在于包括:磁化固定层;中间层,设置在所述磁化固定层上;自由层,设置在所述中间层上;分离层,由非磁性金属构成,并且设置在所述自由层上;以及波动补偿层,其与所述自由层的静态磁耦合被所述分离层断开,其磁化方向被固定为与所述磁化固定层的磁化方向反平行,并且其设置在所述分离层上。 |
地址 |
日本东京都 |