| 发明名称 | 集成电路的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种集成电路的制造方法，包括以下步骤：形成呈硬掩模层形式的包括多个第一开口的第一掩模层，和具有至少一个第二开口的第二掩模层，该至少一个第二开口与第一开口之一至少部分重叠，其中，至少一个第二开口被光刻地生成；以及至少两个相邻的第一开口以小于生成第二开口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的间距彼此分开。 | ||
| 申请公布号 | CN101373738A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200810214035.X | 申请日期 | 2008.08.22 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 斯特芬·迈尔;布克哈特·鲁德威格;罗尔夫·韦斯;克里斯托夫·内尔谢尔 |
| 分类号 | H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);H01L21/027(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种集成电路的制造方法，所述方法包括：创建包括多个第一开口的硬掩模层的形式的第一掩模层；创建具有至少一个第二开口的第二掩模层，所述至少一个第二开口与所述第一开口之一至少部分重叠，其中，光刻生成所述至少一个第二开口；以及至少两个相邻的第一开口以小于生成所述第二开口所使用的光刻的分辨限度的中心至中心的间距彼此分开。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||