| 发明名称 | 具有STI区的非对称场效应半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种高压非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在漏极(34)和栅极(36)之间形成了允许高压操作的电介质，其中STI区包括下部拐角(24)，使下部拐角(24)成形，例如圆形，以降低碰撞电离率。示范性地，成形的拐角终止于(111)晶平面。 | ||
| 申请公布号 | CN101375404A | 申请公布日期 | 2009.02.25 |
| 申请号 | CN200680053004.X | 申请日期 | 2006.12.11 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 西奥多·詹姆斯·莱塔维克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L29/08(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种非对称半导体器件(20)，其包括浅沟槽隔离(STI)区(22)，该浅沟槽隔离(STI)区(22)在漏极(34)和栅极(36)之间形成了电介质以允许高压操作，其中所述STI区包括被成形以降低碰撞电离率的下部拐角(24)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||